Вход
Регистрация
Забыли свой пароль?
Войти как пользователь:
Войти как пользователь
Вы можете войти на сайт, если вы зарегистрированы на одном из этих сервисов:
1834 год
2019 год
Сбросить

Главное меню



«Ангстрем» заключил международное соглашение по производству новых типов транзисторов
2018 год    октябрь

АО «Ангстрем» заключило трехстороннее российско-японо-китайское соглашение по созданию и производству нового типа транзисторов на основе карбида кремния (SiC).

Соглашение предусматривает постановку на АО «Ангстрем» производства транзисторов по новой для него, запатентованной технологии SiC. Ее использование позволит получить транзисторы с меньшим размером кристалла, при этом их стоимость будет сопоставима, а может даже ниже по сравнению с традиционными изделиями на кремнии.


Вернуться назад