Вход
Регистрация
Забыли свой пароль?
Войти как пользователь:
Войти как пользователь
Вы можете войти на сайт, если вы зарегистрированы на одном из этих сервисов:
1834 год
2017 год
Сбросить

Главное меню



2008 год   16 апреля

МИЭТ посетил чрезвычайный и полномочный посол Франции в Российской Федерации Станислас де Лабуле. Господина де Лабуле сопровождала делегация сотрудников посольства, бизнесменов и представителей французской прессы. Одной из основных целей визита было знакомство с достижениями ученых университета в области нанотехнологий. МИЭТ является головной организацией по направлению «Наноинженерия» федеральной целевой программы (ФЦП) "Развитие инфраструктуры наноиндустрии в Российской Федерации" на 2008-2010 годы.

После приема у ректора МИЭТа чл.-корр. РАН Ю.Чаплыгина, где прошла презентация вуза и основных направлений его научных исследований, гости посетили Центр коллективного пользования «Нанотехнологии в электронике», лабораторию Элементной базы наноэлектроники, учебные центры компаний Cadence и Synopsys.

В ходе знакомства с Государственным научным центром «Технологический центр» МИЭТа господину де Лабуле и сопровождавшим его членам делегации продемонстрировали готовые образцы научных разработок. Также гости побывали в научно-производственной компании «Оптолинк», созданной на базе одного из научных коллективов университета с привлечением иностранных инвестиций.

Господин посол также оставил запись в книге почетных гостей университета.

Визит делегации продолжился в инновационном комплексе МИЭТа на территории Особой экономической зоны (ОЭЗ) «Зеленоград».

Во второй половине дня господин де Лабуле побывал на одном из ведущих предприятий российской микроэлектроники - ОАО «НИИМЭ и завод «Микрон».

На встрече с генеральным директором ОАО «НИИМЭ и Микрон» Г.Красниковым и руководителями предприятия обсуждались результаты и перспективы международного партнерства в области высоких технологий, бизнеса и науки. Г-н посол осмотрел производственные линии «Микрона», посетил недавно открытую фабрику по производству микросхем с топологическим уровнем 0,18 мкм.

В 2006 году «Микрон» подписал соглашение о сотрудничестве с одним из мировых лидеров полупроводниковой промышленности — французской компанией STMicroelectronics. Результатом стало открытие на «Микроне» в декабре 2007 года производства микросхем с топологическим уровнем 0.18 мкм по передовой технологии EEPROM.

Во время посещения производственных линий г-н де Лабуле отметил: «Сегодня мы увидели пример эффективного сотрудничества между Францией и Россией в области высоких технологий. Это прекрасно, когда потенциал партнерства между нашими странами превращается в реальные дела». После осмотра производства состоялась встреча с руководителями «Микрона».

Говоря о стратегических задачах предприятия, генеральный директор ОАО «НИИМЭ и Микрон» Г.Красников отметил: «Наше предприятие участвует в решении общей для России задачи — совместными усилиями сформировать благоприятную среду для развития инновационного бизнеса. Эту задачу невозможно решить без тесного взаимодействия с нашими зарубежными партнерами. Визит Посла Франции подтвердил, что мы находимся на правильном пути стратегического международного взаимодействия».

Россия — важнейший партнер Франции, стремительно растет взаимодействие между Францией и Россией и в области науки и инновационного бизнеса. Так, 4 декабря 2007 года в резиденции Посла Франции в РФ состоялась церемония подписания семи научных российско-французских соглашений в области нанотехнологий, использования полупроводников в медицине и телекоммуникациях, оптических информационных технологий, и тд.

Визит столь высокого гостя показал возрастание внимания европейских стран и, в частности, Франции к развитию в Зеленограде инновационной деятельности в области микро- и наноэлектроники, и подтвердил признание роли МИЭТа как центра интеграции образования, науки и инноваций.


Вернуться назад